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BAV19

产品描述0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小61KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAV19概述

0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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BAV19~BAV21
SWITCHING DIODES
VOLTAGE
120~250 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
Fast switching Speed.
Electrically ldentical to Standerd JEDEC
High Conductance
Axial lead Package ldeally Suited for Automatic lnsertion.
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
3.0
• Case: Molded Glass DO-35
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PA RA M E TE R
R e ve r s e V o l t a g e
P e a k R e ve r s e V o l t a g e
R e c t i f i e d C ur r e nt ( A ve r a g e ) , H a l f Wa ve R e c t i f i c a t i o n w i t h R e s i s t i ve
L o a d a nd f > = 5 0 H z
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt , 1 . 0 s
P o w e r D i s s i p a t i o n D e r a t e A b o ve 2 5
O
C
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 0 . 1 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n C a p a c i t a n c e ( N o t e s 1 )
M a xi m um R e ve r s e R e c o ve r y ( N o t e s 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
R
V
RM
I
F ( A V )
I
F S M
P
to t
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
J
, T
S T G
B AV 1 9
100
120
B AV 2 0
150
200
200
1 .0
500
1 .0
0 .1
3 .0
50
350
-5 5 to +1 5 0
B AV 2 1
200
250
U N IT S
V
V
mA
A
mW
V
µ
A
pF
ns
O
C / W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=30mA to I
R
=-3mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
STAD-FEB.06.2009
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