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BAT43W

产品描述0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小69KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAT43W概述

0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

BAT43W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.33 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BAT42W~BAT43W
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low turn-on voltage
• Fast switching
• PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.028(0.7)
.019(0.5)
.154(3.90)
.141(3.60)
.110(2.8)
.098(2.5)
30 Volts
CURRENT
0.20 Ampers
SOD-123
Unit: inch (mm)
MECHANICAL DATA
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity : Color band cathode
Approx. Weight: 0.01 gram
.008(.20)MAX
.053(1.35)
.037(0.95)
.016(.40)MIN
Case: SOD-123, Plastic
.005(.12)MAX
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Marking Code
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current at T
A
=25
O
C
Peak Forward Surge Current, 1.0ms single half
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage
Maximum Thermal Resistance
Operating Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL
BAT42W
L2
30
21
30
0.2
4.0
0.4 / 10mA
1.0 / 200mA
0.5
635
-55 to +125
BAT43W
L3
-
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JA
T
J
,T
STG
0.33 / 2.0mA
1.0 / 200mA
Note : 1.C
J
at V
R
=1, f=1MHz
2.Mounted on FR-4 boad with recommded pad layout
.071(1.8)
.055(1.4)
UNITS
-
V
V
V
A
A
V
µA
O
C/W
O
C
REV.0.2-MAR.16.2009
PAGE . 1
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