Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BAS19

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BAS19: 产品描述0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小195KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAS19概述

0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.2 A, 100 V, 硅, 信号二极管

BAS19规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流	2.5 A
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	0.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.35 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	120 V
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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BAS16~BAS21

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

VOLTAGE

FEATURES

• Fast switching speed.

• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion

• Electrically Identical to Standard JEDEC

• High Conductance

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

100-250 Volts

POWER

250mWatts

MECHANICAL DATA

Case: SOT-23, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Approx. Weight: 0.008 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.

PARAMETER

Marking Code

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

Rectified Current (Average), Half Wave Rectification

with Resistive Load and f >=50 Hz

Peak Forward Surge Current, tp=1.0

s single half

sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC method)

Power Dissipation Derate Above 25

Maximum Forward Voltage

Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking

Voltage T

= 25

Typical Junction Capacitance( Notes1)

Maximum Reverse Recovery (Notes2)

Typical Thermal Resistance

Storage Temperature Range

SYMBOL

B A S 16

B A S 19

100

120

200

2.5

350

B A S 20

A 80

150

200

2.5

350

1.0@100mA

B A S 21

A 82

200

250

200

2.5

350

UNITS

FSM

TOT

RΘJA

100

250

350

0.855@10mA

1.5

357

-55 TO +125

1.5

C/W

SINGLE

NOTE:

1. CJ at V

=0, f=1MHZ

2.From I

=10mA to I

=1mA, V

=6Volts, R

=100Ω

REV.0.1-FEB.4.2009

PAGE . 1

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