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BAS21

产品描述SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小195KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAS21概述

SIGNAL DIODE

信号二极管

BAS21规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流2.5 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.35 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压250 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BAS16~BAS21
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• Electrically Identical to Standard JEDEC
• High Conductance
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
100-250 Volts
POWER
250mWatts
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.008 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Marking Code
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Rectified Current (Average), Half Wave Rectification
with Resistive Load and f >=50 Hz
Peak Forward Surge Current, tp=1.0
µ
s single half
sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Power Dissipation Derate Above 25
O
C
Maximum Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking
Voltage T
J
= 25
O
C
Typical Junction Capacitance( Notes1)
Maximum Reverse Recovery (Notes2)
Typical Thermal Resistance
Storage Temperature Range
SYMBOL
B A S 16
A6
B A S 19
A8
100
120
200
2.5
350
B A S 20
A 80
150
200
200
2.5
350
1.0@100mA
B A S 21
A 82
200
250
200
2.5
350
UNITS
V
R
V
RM
I
O
I
FSM
P
TOT
V
F
I
R
CJ
T
RR
RΘJA
T
J
75
100
250
2
350
0.855@10mA
1
2
6
V
V
mA
A
mW
V
1
1.5
50
357
-55 TO +125
1
1.5
50
1
1.5
50
O
uA
pF
ns
C/W
O
C
SINGLE
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2.From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
REV.0.1-FEB.4.2009
PAGE . 1
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