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1N5365B

产品描述36 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N5365B概述

36 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

1N5365B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AE
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗11 Ω
JEDEC-95代码DO-201AE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压36 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流30 mA
Base Number Matches1

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1N5342B~1N5369B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low inductance
• Typical I
D
less than 1.0µA above 13V
.375(9.5)
.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
6.8 to 51 Volts
CURRENT
5.0 Watts
DO-201AE
Unit: inch(mm)
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
.042(1.07)
.037(0.94)
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
• Case: JEDEC DO-201AE molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounce, 1.122 gram
1.0(25.4)MIN.
.210(5.3)
.188(4.8)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
DC Power Dissipation on T
L
=75
O
C ,Measure at Zero Lead Length
Derate above 50
O
C ( NOTE 1)
Operating Junction and StorageTemperature Range
Symbol
Value
5.0
-55 to +150
Units
Watts
O
P
D
T
J
, T
STG
C
NOTE:
1.Mounted on 8.0mm
2
copper pads to each terminal.
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