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IDT71982L70CB

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
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文件大小251KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71982L70CB概述

Standard SRAM, 16KX4, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28

IDT71982L70CB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明0.400 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.56 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.0006 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10.16 mm
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