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1N4757A-G

产品描述51 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4757A-G概述

51 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

1N4757A-G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-41
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗95 Ω
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压51 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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1N4728A-G~1N4764A-G
SILICON ZENER DIODE
VOLTAGE
FEATURES
• Low profile package
• Built-in strain relief
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• Glass package has Underwriters Laboratory Flammability Classification
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
1.0(26.0)MIN
3.3 to 100 Volts
POWER
1.0 Watts
• Low inductance
MECHANICALDATA
• Case: Molded Glass DO-41G
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes positive end
• Mounting position:Any
• Weight: 0.012 ounce, 0.317 gram
1.0(26.0)MIN
guaranteed
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
1*
-65 to + 200
-65 to + 200
Units
W
O
C
P
TOT
T
J
T
STG
C
C
O
*Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
170*
1.2
Uni ts
K/W
V
R
θ
JA
V
F
--
--
*Vali d provi ded that leads at a di stance of 10mm from case are kept at ambi ent temperature.
REV.0.3-MAR.12.2010
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