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1N4001S_10

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小57KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4001S_10概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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1N4001S~1N4007S
PLASTIC SILICON RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop
• High reliability
• High surge current capability
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.205(5.2)
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
A-405
Unit: inch(mm)
.025(.64)
.021(.53)
• High current capability
MECHANICAL DATA
• Case: A-405 Molded plastic
• Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant.
• Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.008 ounces, 0.22 gram
.160(4.1)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load,derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C ur re nt .3 7 5 " (9 .5 mm) le a d le ng th a t
T
A
=7 5
O
C
P e a k F o rwa rd S urg e C ur re nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 1 .0 A
Ma xi mum D C Re ve r se C ur re nt a t Ra te d D C B lo ck i ng
Vo lta g e
Typ i c a l J unc ti o n ca p a ci ta nc e (No te 1 )
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL
1 N4 0 0 1 S 1 N4 0 0 2S 1 N4 0 0 3 S 1 N4 0 0 4 S 1 N4 0 0 5 S 1 N4 0 0 6 S 1 N4 0 0 7S
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
R
θ
JC
R
θ
JL
T
J
,T
S TG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1 .0
30
1 .1
5 .0
500
15
50
25
17
-5 5 to +1 5 0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
1.0(25.4)MIN.
.107(2.7)
.080(2.0)
pF
O
Typ i c a l The rma l Re s i sta nc e (No te 2 )
C /
W
C
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
O
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead at 0.375”(9.5mm)lead length P.C.B.mounted.
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PAGE . 1
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