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F31W60CP

产品描述Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共2页
制造商SHINDENGEN
官网地址https://www.shindengen.com
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F31W60CP概述

Power MOSFET

F31W60CP规格参数

参数名称属性值
厂商名称SHINDENGEN
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)31 A
最大漏源导通电阻0.115 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)93 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
建议: 版主工分的权重以优质贴子为主
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