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SS315F1

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小873KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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SS315F1概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

SS315F1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流100 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SS315F1文档预览

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SS32 THRU SS320
Surface Mount Schottky Rectifier
Features
● Guardring for overvoltage protection
● Low power losses
● Extremely fast switching
● High forward surge capability
● High frequency operation
● Solder dip 260 ° max. 10s, per JESD 22-B106
C
RoHS
COMPLIANT
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection
applications.
Mechanical Data
Package:
DO-
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant
Terminals:
Tin plated leads, solderable per J-STD-
002 and JESD22-B102
Polarity:
Color band denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1)
Forward Surge Current (Non-repetitive)
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Storage Temperature
Junction Temperature
V
RRM
I
O
V
A
SYMBOL
UNIT
SS32
SS32
20
SS34
SS34
40
SS36
SS36
60
3.0
SS310
SS310
100
SS315
SS315
150
SS320
SS320
200
I
FSM
Tstg
Tj
A
-55~+125
70
-55 ~+150
-55 ~+150
Electrical Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode
SYMBOL UNIT
V
F
V
TEST CONDITIONS
I
FM
=3.0A
Ta=25℃
I
R
mA
Ta=100℃
Measured at 1MHZ
and Applied Reverse
Voltage of 4.0 V.D.C.
20
5.0
SS32
0.50
0.2
SS34
SS36
0.70
SS310
0.85
0.1
SS315
0.90
SS320
Typical junction capacitance
Cj
pF
180
150
130
80
1/4
S-S136
Rev. 2.3, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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