Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB1185D(TO-220F)

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2SB1185D(TO-220F): 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小239KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SB1185D(TO-220F)概述

Transistor

2SB1185D(TO-220F)规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

2SB1185

TRANSISTOR (PNP)

TO-220F

FEATURES

Low V

CE(sat)

: V

CE(sat)=

-0.5V(Typ)(

-2

-0.2

MAXIMUM RATINGS* T

=25

℃

unless otherwise noted

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Junction Junction

Storage Junction

Value

-60

-5

-3

150

-55-150

Unit

℃

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

BE(sat)

unless

Test

otherwise

conditions

specified)

Min

Typ

Max

Unit

-50

µA,

-1

mA, I

-50

µA,

-40

V, I

-4

V, I

-3

V, I

-0.5

-2

A, I

-0.2

-2

A, I

-0.2

-5

V, I

-0.5

A, f=

MHz

=-10V, I

=0, f=

MHz

-60

-50

-5

-1

320

-1

-1.5

µA

MHz

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

Marking

60-120

100-200

160-320

A,Sep,2011

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12月12日消息，《日经亚洲》当地时间昨日报道称，台积电在日控股合资子公司JASM熊本第二晶圆厂的施工作业在10月下旬启动后近期处于暂停状态，重型设备已撤出工地。在最新一版的规划中，JASM第二晶圆厂目标建设以6nm为主导的6/7nm和40nm两类制程节点，计划2027年投产。不过有三位知情人士向日媒表示，台积电正就该晶圆厂的工艺选择进行进一步评估，可能会将其升...[详细]
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1月30日消息，据彭博社今日报道，日立正考虑以最高2000亿日元（现汇率约合90.8亿元人民币）的价格出售数据存储业务。日立公司暂未对此置评。据多方消息人士透露，该公司将进行资产重组，包括出售低利润业务以公司结构。目前，日立已聘请财务顾问为出售存储业务做准备，并已向包括私募股权基金在内的潜在买家分发了该业务的概要。此次出售的目标是两家日本和美国的子公司，其中包括全资子公司Hi...[详细]

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