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BY299: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小48KB，共2页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 标准; 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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BY299概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

BY299规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.3 V
JEDEC-95代码	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	70 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	800 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.25 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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BY296 THRU BY299S

FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER

Reverse Voltage -

100 to 1000 Volts

Forward Current -

2.0 Amperes

Features

Fast recovery diodes

Diffused junction

High current capability

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

Terminals: Axial leads

Polarity: Color band denotes cathode

Mounting Instruction

Min. distance from body to soldering point, 4mm

Max. solder temperature, 350

Max. soldering time: 3.5 Sec.

Do not bend lead at a point closer than 3mm to the body

DIM ENSIONS

DIM

inches

Min.

0.283

0.189

0.048

1.000

Max.

0.374

0.208

0.051

Min.

7.20

4.80

1.20

25.40

Max.

9.50

5.30

1.30

Note

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25

ambient temperature unless otherwise specified.

Symbols

BY296

BY297

BY298

BY299

BY299S

Units

Peak repetitive and non recurrent reverse voltage

Forward current, R load at T

amb

=50

8.3mS peak forward surge current at T

=25

Recurrent peak forward current (A)

Maximum forward voltage drop at I

=2.0A

Maximum reverse current at V

RRM

at 25

Maximum reverse recovery time (Note 1)

Maximum thermal resistance (I=10mm)

Operating and storage temperature range

Note:

(1) Reverse recovery test conditions: I

=0.5A, I

=1.0A, I

=0.25A

RRM

(AV)

FSM

FRM

100

200

400

2.0

70.0

10.0

1.3

10.0

250

30.0

-65 to +125

800

1000

Volts

Amps

Volts

, T

STG

推荐资源

0.1、1、10、100、1000Hz正弦波一方波一三角波振荡器

绝缘栅场效应晶体管长延时电路(二)

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TFT高性能光刻胶国产化势在必行

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6月北美半导体设备订单出货比获得改善

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德仪净利2.6亿美元降56%仰赖亚洲需求回升

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市场需求大液晶面板短缺价格博弈加剧

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经济衰退:内存厂商奇梦达开始进行破产清算

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