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BR2510A1

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 1000V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小190KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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BR2510A1概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 1000V V(RRM), Silicon,

BR2510A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明S-PUFM-D4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

BR2510A1文档预览

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BR25005(W) THRU BR2510(W) 
 
RoHS
COMPLIANT
Bridge Rectifiers
Features
●UL recognition, file #E230084
Universal 3-way terminals: snap-on, wire
wrap-around, or PCB mounting
●High surge current capability
●Low thermal resistance
●Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106
~
~
Typical Applications
~
‐‐
~
General purpose use in AC/DC bridge full wave
rectification for power supply, home appliances,
office equipment, industrial automation applications.
Mechanical Data
Package:
BR,BR-W
Molding compound meets UL 94 V-0
flammability rating, RoHS-compliant
Terminals:
Tin plated leads, solderable
per J-STD-002 and JESD22-B102
Suffix letter “W” added to indicate wire
leads(e.g. BR2510W
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Device marking code
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@60Hz sine wave, R-load, With heatsink,
Tc=55℃
Surge(Non-repetitive)Forward Current
@60HZ Half- sine Wave, 1 cycle,
Ta=25℃
Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms
Tj=25℃, Rating of per diode
Storage Temperature
Junction Temperature
Dielectric Strength, Terminals to case,
AC 1 minute
Mounting Torque
VRRM
IO
V
A
SYMBOL UNIT
BR25005
BR25005
50
BR2501
BR2501
100
BR2502
BR2502
200
BR2504
BR2504
400
BR2506 
BR2506 
600
BR2508
BR2508
800
BR2510 
BR2510 
1000
25
IFSM
I
2
t
Tstg
Tj
A
AS
2
400
660
-55 ~+150
-55 ~+150
2.5
10
V
dis
TOR
KV
kg·cm
Electrical Characteristics
(Ta=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward
voltage drop per diode
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per diode
SYMBOL UNIT
VFM
IRRM
V
TEST
CONDITIONS
IFM=12.5A
BR25005 BR2501
BR2502
BR2504  BR2506  BR2508
1.1
10
BR2510
μA VRM=VRRM
1/4
S-C014
Rev. 2.1, 28-Apr-15
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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