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MASMBGP6KE8.2E3TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小216KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MASMBGP6KE8.2E3TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

MASMBGP6KE8.2E3TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-215AA
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压9.02 V
最小击穿电压7.38 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-215AA
JESD-30 代码R-PDSO-G2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.38 W
最大重复峰值反向电压6.63 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
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零下12度半 电源技术

 
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