Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GDGS110K

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GDGS110K: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 800V V(RRM), Silicon, DIE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小163KB，共2页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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GDGS110K概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 800V V(RRM), Silicon, DIE

GDGS110K规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	苏州固锝(Good-Ark)
包装说明	DIE
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILTY
应用	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	S-XXUC-N
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	1
相数	1
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	7.5 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	UNCASED CHIP
最大重复峰值反向电压	800 V
最大反向电流	1 µA
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UNSPECIFIED

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STD 1A 50V Thru 25A 1000V

Glass Passivated Junction Rectifiers

Features

●

Glass passivated chip

●

Low forward voltage drop

●

High current capability

●

High reliability

●

High surge current capability

●

Surface Metalization：Ni(0.6~1um)/Au(0.05um)

●

Compatible with soldering

●

Operating Junction temperature range :-55 ~ +150℃

●

Standard Recovery Rectifier

Process Details

Chip Part No.

Chip size

41*41mil

45*45mil

50*50mil

56*56mil

60*60mil

72*72mil

84*84mil

88*88mil

95*95mil

110*110mil

130*130mil

140*140mil

160*160mil

180*180mil

200*200mil

PDPW

(pcs/4"wafer)

6,700

5,299

4,469

3,685

3,011

2,045

1,469

1,313

1,153

853

613

521

406

316

256

Size（mil）

B（±1）

C（±2）

104

114

131

151

194

GDGS41A-M

GDGS45A-M

GDGS50A-M

GDGS56A-M

GDGS60A-M

GDGS72A-M

GDGS84A-M

GDGS88A-M

GDGS95A-M

GDGS110A-M

GDGS130A-M

GDGS140A-M

GDGS160A-M

GDGS180A-M

GDGS200A-M

Maximum Ratings

A (+1/-2)

110

130

140

160

180

200

D（±

(TA = 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

Maximum instantaneous forwad voltage at IF

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-

wave superimposed on rated load

Symbol

RRM

RMS

F(AV)

FSM

100

VALUE

200 400 600

140

200

280

400

420

600

800 1000

560

700

800 1000

UNIT

See Next Table

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