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SKM300GAX123D

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D56, 7 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小4MB,共8页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM300GAX123D概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D56, 7 PIN

SKM300GAX123D规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-204
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数2
制造商包装代码CASE D56
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)300 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量1
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1660 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)620 ns
标称接通时间 (ton)340 ns
VCEsat-Max3 V

SKM300GAX123D相似产品对比

SKM300GAX123D SKM300GAY123D
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D56, 7 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D56, 7 PIN
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON
零件包装代码 DO-204 DO-204
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数 2 2
制造商包装代码 CASE D56 CASE D56
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 300 A 300 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7
元件数量 1 1
端子数量 7 7
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1660 W 1660 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 620 ns 620 ns
标称接通时间 (ton) 340 ns 340 ns
VCEsat-Max 3 V 3 V
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