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SS19L_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小698KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SS19L_R1_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

SS19L_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压90 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SS12L SERIES
LOW VF SURFACE MOUNT SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• High current capacity, low V
F
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.114(2.90)
0.098(2.50)
0.181(4.60)
0.157(4.00)
0
.
012(0
.
305)
0
.
006(0.152)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
0.208(5.28)
0.188(4.80)
20 to 90 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram
0.060(1.52)
0.030(0.76)
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Maximum thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
R
Θ
JA
R
Θ
JL
T
J
T
STG
30
120
40
-55 to + 125
-55 to + 150
-55 to +150
-55 to +150
SS12L
20
14
20
SS13L
30
21
30
SS14L
40
28
40
1
40
o
0.062(1.60)
0.047(1.20)
SS14AL
45
31.5
45
SS16L
60
42
60
SS19L
90
64
90
UNIT
V
V
V
A
A
C/W
o
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward
voltage (Notes 1)
Maximum reverse current at rated
peak reverse voltage
SYMBOL
V
F
I
R
TEST
CONDITIONS
I
F
=1.0A
-
200
SS12L
SS13L
0.42
SS14L SS14AL SS16L
0.45
100
0.50
SS19L UNIT
0.68
80
V
μA
NOTES:
1. Pulse test : 300
μs
pulse width, 1% duty cycle.
July 29,2011-REV.04
PAGE . 1
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