电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HER604

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 6A, 300V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
下载文档 详细参数 全文预览

HER604概述

Rectifier Diode, 1 Element, 6A, 300V V(RRM),

HER604规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流6 A
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.06 µs
表面贴装NO
推荐一个非常好的freertos学习教材
最近重新复习了一下freertos,在B站上找到一个非常好的教材,是基于ESP32的freertos,同时UP主还介绍了其他的一些非常有用的知识。非常推荐一下有时间的可以去看看。什么是RTOS? - 孤独的二进制 - ESP32上的FREERTOS_哔哩哔哩_bilibili...
lugl4313820 国产芯片交流
【投票瓜分2500元红包】2022得捷电子创新设计大赛优秀作品人气奖由你来定!
2022得捷电子创新设计大赛,由得捷电子和EEWorld联合举办,历时8个月,在上百位技术大神的积极参与下,收到了丰富多彩的参赛作品,涉及电源、智能家居、人脸识别、数据采集等各领域,实现方式与呈现效果多元化。在此,特别感谢熬夜爆肝DIY的工程师们,是你们将无变成有,让想法落地生花,为物联网赋能,为科技创新添砖加瓦!即日起-2022年12月26日,本届大赛网络人气作品投票通道开启,快为你喜爱的作品投...
EEWORLD社区 DigiKey得捷技术专区
未来几年会出现哪些 GaN 创新技术?
现在GaN很火 ,人们似乎忘记了GaN 依然是一项相对较新的技术,仍处于发展初期,还有较大的改进潜力和完善空间。本文将介绍多项即将出现的 GaN 创新技术,并预测未来几年这些创新技术对基站设计和发展的影响。功率密度我们预计在未来三到五年内,GaN 强大的功率密度将得到进一步提升。如今已有方法利用 GaN 实现更高的功率密度,但成本极高,从商业角度而言还不可行。例如将 GaN 置于金刚石而非碳化硅衬...
兰博 RF/无线
MicroPython Wifi 机器人小车
展示如何构建您自己的 MicroPython wifi 的机器人小车并使用您的手机控制它。 使用虚拟 D-Pad 和 O-Pad App控制器来控制机器人汽车的运动。原理图链接:说明仓库...
dcexpert MicroPython开源版块
【MPS商城钜惠体验季】开箱— 总算收到货了
[i=s] 本帖最后由 54chenjq 于 2022-12-12 10:44 编辑 [/i]参与活动,买了几颗MPS的DC/DC,因封控经历了10来天的停滞,终于收货。包装好评...
54chenjq 电源技术
小电视复刻,共享,顺便做个调研
[i=s] 本帖最后由 weizhongc 于 2022-12-12 10:55 编辑 [/i]看到这个帖子的朋友,麻烦帮忙投一下票。...
weizhongc 创新实验室

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 513  839  874  1234  1529 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved