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2N3116LEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小271KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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2N3116LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

2N3116LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codecompli
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-18
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1
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