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P6SMB130CATR13LEADFREE

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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P6SMB130CATR13LEADFREE概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

P6SMB130CATR13LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压136.5 V
最小击穿电压123.5 V
击穿电压标称值130 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压111 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
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