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STPR1210CT

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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STPR1210CT概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

STPR1210CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

STPR1210CT文档预览

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
STPR1210CT thru 1260CT
REVERSE VOLTAGE
- 100 to 600 Volts
FORWARD CURRENT
- 12
Amperes
SUPER FAST
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Superfast switching time for high efficiency
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification 94V-0
1
TO-220AB
B
C
K
PIN
2
3
L
M
D
A
E
F
TO-220AB
MAX.
MIN.
DIM.
14.22
15.88
A
10.67
B
9.65
3.43
C
2.54
D
6.86
5.84
9.28
8.26
E
6.35
F
-
14.73
12.70
G
H
I
J
K
L
M
2.29
0.51
0.30
3.53
3.56
2.79
1.14
0.64
4.09
4.83
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AB molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.08 ounces, 2.24 grams
Mounting position : Any
I
J
N
H H
PIN 1
PIN 3
G
PIN 2
CASE
1.14
1.40
2.92
2.03
N
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
STPR
1210CT
100
70
100
STPR
1220CT
200
140
200
STPR
1230CT
300
210
300
12
60
1.1
1.0
1.25
1.20
1.3
1.2
1.5
1.4
10
250
80
30
35
3.0
-55 to +150
50
1.5
1.4
1.7
1.6
STPR
1240CT
400
280
400
STPR
1250CT
500
350
500
STPR
1260CT
60
0
420
600
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Non Repetitive Peak Forward
Surge Current Per Diode
Sinusoidal (JEDEC Method)
Maximum forward Voltage
Pulse Width =300us
Duty cycle
SYMBOL
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
C
=
120 C
T
P
=
8.3ms
I
FSM
A
I
F
=6A@T
J
=25
I
F
=6A@T
J
=125
I
F
=12A@T
J
=25
I
F
=12A@T
J
=125
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
V
F
V
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
per element (Note 1)
I
R
C
J
T
RR
R
0JC
uA
pF
ns
C/W
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Operating and Storage Temperature Range
T
J
,T
STG
C
REV.0, Dec-2003, KTGC11
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Reverse Recovery Test Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR =
0.25A.
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