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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHM8250PBF
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IRHM8250PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小331KB，共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRHM8250PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

IRHM8250PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)26 A
最大漏源导通电阻0.11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-XSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)104 A
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRHM8250PBF相似产品对比

IRHM8250PBF IRHM8250 IRHM4250 IRHM7250 IRHM3250
描述 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 HERMETIC SEALED PACKAGE-3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compliant unknown not_compliant not_compliant
其他特性 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas） 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 26 A 26 A 26 A 26 A 26 A
最大漏源导通电阻 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 104 A 104 A 104 A 104 A 104 A
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 26 A 26 A 26 A 26 A
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0
最大功率耗散 (Abs) - 150 W 150 W 150 W 150 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

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