Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> GSBCX69-16

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GSBCX69-16: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小509KB，共2页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 标准; 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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GSBCX69-16概述

Small Signal Bipolar Transistor,

GSBCX69-16规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	苏州固锝(Good-Ark)
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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GSBCX69

PNP Transistor

Features

■

For general AF applications

High collector current

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complementary type: GSBCX68 (NPN)

SOT-89-3L

1. BASE

Absolute Maximum Ratings

=25°C unless otherwise noted）

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

CBO

CEO

EBO

STG

Value

-25

-20

-5

-1

0.8

150

-55 to +150

Unit

℃

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Electrical

Characteristics

=25°C unless otherwise noted）

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

BCX69

BCX69-10

BCX69-16

BCX69-25

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

Test

Conditions

=-10μA , I

=-30mA , I

MIN

-25

-20

-5

100

160

TYP

-0.6

100

MAX

-0.1

375

160

250

375

-0.5

-1

MHz

UNIT

μA

(BR)EBO

= 0

=-1μA, I

CBO

EBO

FE (1)

=-25V, I

= 0

=-5V, I

=-1V, I

=-500mA

=-10V, I

-5mA

= 5mA

=-1V, I

-1A

= -100mA

=-1A, I

=-5mA, V

=-10V

=-1A, V

=-1V

=-5V, I

=-100mA

f=20MHz

DC Current Gain

FE(2) 1)

FE(3) 1)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Transition Frequency

1) Pulse test: t ≤=300µs, D = 2%

CE(sat)

BE(ON)

1/2

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