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SB240LES_B0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB240LES_B0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2

SB240LES_B0_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.45 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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SB240LES
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• For use in low voltage,high frequency inverters ,free wheeling ,
and polarity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.205(5.2)
0.160(4.1)
0.034(0.86)
0.028(0.71)
40 Volts
CURRENT
2.0 Amperes
• IEC61000-4-2 ESD 15KV air, 8KV Contact Compliance
MECHANICAL DATA
• Case: DO-41 Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity : Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.011 ounces, 0.336 grams
1.0(25.4)MIN.
0.107(2.7)
0.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed
on rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
R
ΘJA
R
ΘJL
T
J
T
STG
VALUE
40
2
150
70
26
-55 to + 150
-55 to + 150
O
UNIT
V
A
A
C /W
o
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=0.5mA
I
F
=1A
I
F
=2A
Instantaneous forward voltage
V
F
I
F
=1A
I
F
=2A
V
R
=32V
Reverse current
I
R
V
R
=40V
T
A
=25
o
C
T
A
=125
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25 C
o
MIN.
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
0.37
0.41
0.25
0.30
30
-
33
MAX.
-
-
0.45
-
-
-
200
-
UNIT
V
V
V
μA
μA
mA
April 6,2011-REV.00
PAGE . 1
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