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PDZ8.2BT/R13

产品描述Zener Diode, 8.2V V(Z), 2.08%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小144KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PDZ8.2BT/R13概述

Zener Diode, 8.2V V(Z), 2.08%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

PDZ8.2BT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
标称参考电压8.2 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.08%

PDZ8.2BT/R13文档预览

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PDZ4.7B ~ PDZ36B
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
4.7 to 36 Volts
POWER
400 mWatts
SOD-323
Unit
inch(mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 400mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.038(0.95)
0.027(0.70)
0.078(1.95)
0.068(1.75)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-323, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Weight: 0.0001 ounce , 0.0041 gram
• Mounting Position: Any
1
2
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.012(0.30)MIN.
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Maximum Power Dissipation (Note A) at 25
o
C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction to Ambient
SYMBOL
P
D
T
J
R
θJA
LIMITS
400
-55 to + 150
325
UNIT
mW
o
C
o
C/W
NOTE:
A.Mounted on 5.0mm
2
(.013mm thick) land areas
October 01,2010-REV.00
PAGE . 1
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