Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SA684S

文档预览

2SA684S: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小292KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

下载文档详细参数全文预览

2SA684S概述

Transistor

2SA684S规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	1 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	170
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.75 W
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

2SA684S文档预览

下载PDF文档

全文
预览

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

2SA684

FEATURES

Automatic Insertion by Radial Taping Possible

Complementary Pair with 2SC1384

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

TRANSISTOR (PNP)

TO-92L

MAXIMUM RATINGS(T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Parameter

Value

-60

-50

-5

-1

0.75

150

-55-150

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

FE(1)

FE(2)

CE(sat)

BE(sat)

Test

conditions

Min

-60

-50

-5

-0.1

-0.2

-0.85

200

-0.4

-1.2

MHz

340

Typ

Max

Unit

μA

=-10uA, I

=-2mA, I

=-10μA, I

=-20V, I

=-10V, I

=-500mA

=-5V, I

=-1A

=-500mA, I

=-50mA

=-500mA, I

=-50mA

=-10V, I

=50mA, f=200MHz

=-10V, I

=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

FE(1)

85-170

120-240

170-340

A,Jun,2011

推荐资源

采用7806等构成的定时供电稳压电源电路图

可控硅自动延时照明开关

常用运放电路集锦: 常用运放电路集锦 ...; fighting 模拟电子

2011年国赛【信号类答疑&题目讨论专帖】: 为了更好的帮助大家备战2011全国大学生电子设计竞赛，EEWORLD特别邀请了资深工程师在此答疑。但考虑到资深工程师是利用业余时间为大家答疑，所以如未能及时回复， ......; EEWORLD社区电子竞赛

PB5.0老是编译出错，求助。: Error: Ram start overlaps rom binary Fatal error hit, exiting... makeimg: FATAL ERROR: Command returned non-zero exit code 1 (dec). makeimg: FATAL ERROR: Command returned non- ......; ydq850524 嵌入式系统

再去天津: 去年这个时候我是学生身份去天津参加的职业技能大赛，今年是帮助学生参加比赛，去年比赛完一心的就知道玩，今年貌似不想玩了，比赛完，我们会在北京待两天吧，我想去中发逛逛，我们大概在北京西 ......; zhangkai0215 聊聊、笑笑、闹闹

数字化智能充电器的设计: 摘要：设计了基于单片机的智能充电器,介绍了其硬件和软件实现。该充电器可以实时采集和计算电池的参数,并进行智能控制,还可以通过串口和上位机进行通讯并进行实时。关键词：智能充电器单片 ......; frozenviolet 汽车电子

去耦电容: 去耦电容一般接在什么地方？...; zhonghuadianzie PCB设计

“江上舟传”一书在京发布缅怀中国芯之父

2011年7月3日，亲朋好友在上海送别了中芯国际原董事长江上舟；一年后，《中国芯——战略型科学家江上舟博士传》7月3日在北京发布。　　江上舟是中国电子信息领域的战略科学家和管理专家、中国改革开放后第一批“海归”、全国第一个博士市长、上海芯片产业奠基人、国家大飞机、新能源汽车等项目启动者之一。在罹患癌症与病魔顽强抗争10年后，江上舟于2011年6月27日，在中芯国际董事长任上病逝，时年6...[详细]
美光将收购瑞晶电子股份

美光科技今日同意了收购力晶科技所持有的瑞晶电子股份。瑞晶电子为力晶与尔必达的合资公司。力晶今天在监管文件中表示，力晶和其旗下投资机构将以97亿新台币（约合3.25亿美元）出售所持瑞晶电子的6.91亿股股票。力晶发言人埃里克•唐（EricTang）称该交易将视美光对尔必达的收购结果而定。美光发言人丹•弗朗西斯科（DanFrancisco）今天在一份邮件声明中表示，“按照与力晶的拟议安排...[详细]
德州仪器三位工程师当选为 IEEE 院士

日前，德州仪器(TI)宣布其三名工程师当选为美国电气和电子工程师协会(IEEE)院士，该荣誉称号仅授予具有杰出成就的IEEE成员。TIKilby实验室总监AjithAmerasekera、模拟首席技术官AhmadBahai以及TI外部开发与制造(EDM)业务科学家LuigiColombo因其在半导体产业的创新贡献荣获IEEE最高级别会员荣誉。此前还有1...[详细]
思亚诺荣获“2011年度用户信赖品牌”

（2011年12月27日，北京）近日，全球领先的移动数字电视接收芯片解决方案提供商思亚诺公司（Siano）荣获“2011年度用户信赖品牌”大奖。此奖项由《中国信息化》杂志颁发，旨在表彰本年度在信息化领域最受政府及行业用户信赖的品牌。此奖项的历届得主均为行业领军企业，今年与思亚诺（Siano）分享该奖项的为华为赛门铁克Secospace安全品牌，IBM系统与科技部，及日立JP1系统运行管理软件。...[详细]
英伟达CEO认为Intel应为其它厂商代工芯片

3月24日消息,据国外媒体报道，英伟达CEO黄仁勋（Jen-HsunHuang）突然有一种新想法。他说，在英伟达也在研究芯片的时候，英特尔投资研发是浪费金钱。每一个人知道英伟达的芯片比英特尔的芯片好得多。他们必须要请教黄仁勋。黄仁勋称，英特尔应该把它的高级的半导体工厂用来为英伟达、高通、苹果和德州仪器生产芯片。黄仁勋表示，英特尔不需要浪费金钱生产自己的移动芯片。英特尔作为所有移动公司的芯片加...[详细]
锐德在东莞生产VisionXC以满足全球市场需求

锐德热力系统公司生产的VisionXC，集紧凑设计和最佳热力性能于一体，是全球广大制造商实现最佳效果的保证。公司年初推出该系统时，深受业界欢迎，并安排位于东莞的制造厂专门生产此系统，以满足国际和中国市场需求。锐德多年来一直致力在中国发展，并决定只在中国生产VXC，体现了锐德对中国地区的承诺。东莞工厂不仅拉近了锐德和客户的距离，缩短了交货时间，提高了整体服务质量，同时让中国和欧洲客户都能...[详细]
恩智浦推出全球首款2 mm x 2 mm的MOSFET

中国上海，2012年6月14日讯——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日推出业内首款2mmx2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。即将面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30VN沟道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6(SOT1...[详细]
高通收购电源管理解决方案开发商Summit

高通今日宣布，公司已经收购了位于美国加州桑尼维尔市的领先可编程电源集成电路开发商和供应商SummitMicroelectronics。有了Summit的专业技术和产品，高通的电源管理计划将得到显著增强。完成这项收购交易之后，高通就能提供一套更完备的电源管理解决方案，满足客户们的各种需求，解决产品设计上的许多难题。Summit的所有员工已经加入高通旗下的CDMA技术部门。随着具备先...[详细]
日本企业“集体亏损”启示

与日本不同，中国有巨大的国内市场，如果能激发国内需求，中国制造业应当可以走得比日本更远。对先进技术产品的市场容量、规模经济等，是中国制造业的特有优势。但中国制造业的国内竞争仍有待进一步开放，不仅要对大小竞争者一视同仁，也要允许和鼓励跨行业竞争和融合　　看近期公布的许多日本大企业年报，用“集体亏损”一词概括并不为过。包括电子消费品、汽车、化学、合成纤维在内，诸多日本具有传统竞争优势的产业内的大...[详细]
IBM/GF/三星联合展望20nm、14nm

通用平台联盟的三巨头IBM、GlobalFoundries、三星电子将于今年3月14日(德国汉诺威CeBIT2012展会之后一周)在加州圣克拉拉举行2012年通用平台技术论坛，主题是“预览硅技术的未来”(previewingthefutureofsilicontechnology)。届时，三大巨头将会联合介绍在28nm、20nm、14nm等一系列新工艺技术上的发展和开发情况，同...[详细]
Digi-Key与Marktech Optoelectronics签署全球经销协议

美国明尼苏达州锡夫里弗福尔斯市和纽约州莱瑟姆市–Digi-Key公司是一家知名的电子元件经销商，被设计师们誉为业内最广泛的电子元件库，提供立即发货服务。该公司日前宣布与MarktechOptoelectronics公司正式签署全球经销协议。MarktechOptoelectronics是LED技术、产品和解决方案的行业领导者。Marktech涉足众多高端知名项目，服务...[详细]
三家韩国半导体工厂检出致癌物质包括三星在内

　　国际在线专稿：据《韩国时报》2月6日报道，韩国职业安全与健康研究院（OccupationalSafetyandHealthResearchInstitute）6日公布了一项最新调查结果：包括三星在内的3家公司的半导体工厂内被检测出致癌物质。　　研究人员从2009年开始，历时3年，在三星公司，海力士半导体公司（HynixSemiconductorInc）以及飞兆半导体公司（Fairch...[详细]
年度展望：半导体巨头看好新兴产业

2011年全球半导体业保持平稳发展的势头。展望2012年，智能手机、平板电脑、新能源汽车、LED、数字电视和便携式医疗电子等应用依然持续走热，平台化设计、软硬件协同设计成为制胜关键。2012年，全球半导体产业面临哪些新的机遇和挑战，企业将采取什么新的发展策略？《中国电子报》特邀请主要企业代表进行探讨。（详见9～10版）德州仪器中国区总裁谢兵“无论强调硬件还是强调软件，都是...[详细]
新思CEO:28nm后电晶体成本降低

摩尔定律(Moore'sLaw)将在未来的十年持续发展，但每单位电晶体成本下跌的速度将随之减缓，无法再像过去一样快速降低了。根据新思科技董事长兼执行长AartdeGeus表示，晶片设计越来越复杂，逐渐延缓向更大晶圆的过渡，但也为其他替代技术开启了大门。AartdeGeus的这番评论正好出现在当今业界日益关注半导体技术的未来发展之际。有些业界观察家指出，28nm节点可能会是最...[详细]
全球知名品牌携手亮相SMT主题馆

2014年3月20日，作为业内最重要的电子制造盛会，慕尼黑上海电子生产设备展（productronicaChina）在上海新国际博览中心完美落幕，除了展现原有的点胶注胶、材料、EMS电子制造服务、线束加工、元器件制造、测试测量等各领域的新技术和行业发展趋势，慕尼黑上海电子生产设备展(productronicaChina)再度设立SMT表面贴装技术主题馆，并结合行业首创的”SMT创新演示区...[详细]

小广播

热搜元器件