Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6KE82A-AU_B0_000A1

文档预览

P6KE82A-AU_B0_000A1: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小178KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

P6KE82A-AU_B0_000A1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,

P6KE82A-AU_B0_000A1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED
最大击穿电压	86.1 V
最小击穿电压	77.9 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-15
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压	70.1 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P6KE82A-AU_B0_000A1文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6KE-AU SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

6.8 to 550 Volt

Recongnized File # E210467

1.0(25.4)MIN.

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• 600W surge capability at 1ms

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1 ps from 0 volts to BV min

• Acqire quality system certificate : TS16949

• AEC-Q101 qualified

• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive

0.034(0.86)

0.028(0.71)

0.300(7.6)

0.230(5.8)

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-15 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Power Dissipation on T

=25

C, T

=1ms (Notes 1)

Typical Thermal Resistance (Notes 2)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Notes 3)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

θJ

θJC

PPM

F S M

S TG

1.0(25.4)MIN.

0.140(3.6)

0.104(2.6)

Value

600

see Table

100

-65 to +175

Units

Watts

C/W

Amps

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig. 2.

2. Mounted on 48cm

FR-4 PCB.

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

December 22,2014-REV.00

PAGE . 1

推荐资源

STK085-105功率放大器电路图

电动机间歇运行控制电路

最实用基本图解电路46－线电流为零断相保护电路

东信EL610手机维修图二

600MHz宽带放大电路

845ddr电脑主板电路图_32

聊聊3D打印机: 中午，应wateras1 邀请，去参观3D打印机和他们打印出来的一些小伙伴们:lol 记得，第一次听说3D打印机还是偶然翻一本杂志，看到了这几个字，当时觉得这几个字组合在一起立刻就有 ......; eric_wang 消费电子

调制信号与载波信号的频率相差多少为溢出: 各位前辈大家好，我学习调制时发现书中总是说要求调制信号的频率要远低于载波信号的频率，这里边的“远低于”究竟该如何理解呢？咨询一些老师他们说载波信号至少是调制信号频率的10倍，这个十倍 ......; wwwlizhencom 模拟电子

TMS320C6678 ZYNQ OpenAMP 双核ARM 通信案例开发手册之echo_test案例: 目录前言 1 echo_test案例 1 案例功能 2 操作说明 3 关键代码 3.1 linux_demo代码说明 3.2 freertos_demo代码说明 3.3 baremetal_demo代码说明前言本文主 ......; 别打牛牛 DSP 与 ARM 处理器

求编程高手，医疗输液监控器: 我的毕业设计是医疗输液监控器，原理图是画好了，但是程序编不来，希望有人可以帮帮我...; cherrycanger 51单片机

滑动变阻器的问题: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:31 编辑问大家一个问题，我知道滑动变阻器本身有电感，如果在较高频率中，比如10M的频率下使用，电感效应明显么？如果不能忽略了。那该拿什么样的来代替 ......; Engr_Echo 电子竞赛

运放电路学习中的常见疑问: 1、运放输出端加一小电阻的作用? 答：运放输出短路的保护方法可以很简单，只要用一个小电阻R串接于运放的输出端，如图所示，就能防止输出短路失效。如果这个电阻接到反馈环路内，如图中虚线 ......; qwqwqw2088 模拟与混合信号

鲁毅智再度访华，战略撼动半导体市场格局

日前，鲁毅智以美国半导体产业协会副主席、GLOBALFOUNDRIES董事长的身份访问了北京。这位在半导体行业内德高望重的“宗师”级人物一下飞机，就与忙着与中国半导体行业协会组织和政府相关部门进行了多次高级别的会晤。同时，挂有GLOBALFOUNDRIES董事长、前任AMD董事长和董事会主席等多重身份标签的鲁毅智，还与AMD及其客户、知名学者、业内专家进行了深入交流。在历时一周的...[详细]
深圳IC设计产业逐渐成熟，年产值超61亿元

近日，从2009（第七届）泛珠三角集成电路创新应用展示暨高峰论坛获悉，经过几年的迅猛发展，深圳的IC设计产业已逐渐成熟，去年该市IC设计产业产值已经超过61亿元，首次跃居全国大中城市第一位，正式确立了在国内的龙头地位。未来5年，深圳计划将IC设计产业的销售收入提升到200亿元、人均产值100万元以上。去年，深圳集成电路设计行业顶住了全球金融海啸的冲击，不降反升，保持了高速的增长，...[详细]
LSI 3ware SATA RAID控制器助力Intel SSD

日前，LSI公司(NYSE:LSI)宣布为其3ware®9650SESATARAID控制卡推出一款新型控制器固件，它可为Intel®X25-EExtremeSATA固态驱动器(SSD)助一臂之力。此次固件升级旨在为服务器、存储系统以及高端工作站中的IntelSSD提供全面支持。IntelX25-EExtreme固态驱动器采用单层单元(S...[详细]
一季度全球硅晶圆供货面积跌幅创九年新低

国际半导体设备材料产业协会公布的数据显示，2009年第一季度全球硅晶圆的供货面积比上季度减少34.2%，比上年同期减少56.6%，为60.6万m2，创2000年以来最大跌幅。中投顾问能源行业首席研究员姜谦认为，由于硅晶圆产业的下游是半导体产业，全球半导体产业的低迷表现是一季度全球硅晶圆供货面积跌幅创九年来新低的主要原因。知名市场研究公司ICInsights此前数据显示...[详细]
友达揭密创新显示技术带来全新感官体验

　　随着面板业进入应用创新时期，各大面板厂商之间的竞争重点已经不是世代升级，而是转为如何开发更多的创新应用，带给消费者全新体验，甚至带来前所未有生活习惯的改变。友达光电掌握此趋势的契机，不断推出多款3D显示技术、触控技术与电子书等创新显示技术，希望能为消费者带来全新的感官体验　　三维立体显示技术　　凭借着在三维显示领域先进的研发能力，友达今年六月开发出全系列无需佩戴特殊眼镜，从4.3...[详细]
多晶硅价跌80%　四川部分企业间歇性停产

“多晶硅暴利时代已经终结。”对于多晶硅如蹦极一样的价格下滑，雅安永旺硅业负责人很坦然。近日，四川省经委公布上半年有色金属行业数据，多晶硅价格已由2007年的300多万元/吨降至目前的50多万元/吨。乐山新光硅业去年上半年利润为4.1亿元左右，而今年上半年仅为1亿多元。可靠人士透露，四川一些多晶硅企业已经出现间歇性停产。四川省经委机械冶金建材处相关负责人透露，他们正在就硅...[详细]
MIPS 公司新任营销副总裁Art看好IP市场

ArtSwift先生于2009年3月份开始担任MIPS科技公司营销副总裁。Swift先生在半导体与处理器IP领域从事市场营销与行政管理工作超过20年，将领导MIPS科技全球IP业务的营销工作。（Q=提问A=回答）Q:您加入MIPS科技公司的原因是什么？A:在我的职业生涯中，我曾经几度是MIPS的合作伙伴、授...[详细]
最新低成本高效率0.18微米OTP制程

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，发布其最新开发的0.18微米OTP(一次编程)制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程，结合了第三方OTP。采用3.3V作为核心器件，从而省去了0.18微米标准逻辑制程中的1.8V器件，因此可以节省至少5层光罩。由于该OTP是建立在相同的逻辑制程基础上，所以不需要额外的制程步骤。相对于...[详细]
联电反攻决战65纳米：技术与价格双向抢滩

联电高层交由新生代接棒刚满一年，新联电追赶台积企图浮现，四年前在0.13微米制程跌倒，今日则以90纳米扳回一成的联电，由研发底子深厚的执行长孙世伟领军，在65纳米靠技术与价格双向抢滩，这场绝地反攻之役，外资与90多万股民都在看。铁人执行长改革急先锋“我们65纳米营收在第二季大幅成长120%，第三季预计占营收比重15%，年底目标20%。”7月底酷热难受的盛夏，接下联电执...[详细]
康宁开发新一代有机移动显示器尖端基板技术

康宁公司（纽约证交所代码：GLW）与Soitec集团（EuronextParis）2009年7月30日宣布，就携手开发适用于新一代平板移动显示器市场的高性能单晶硅薄膜玻璃基板（SiOG）技术事宜达成合作协议。自此，双方将致力于为有机发光二级管（OLED）移动显示器开发一流品质的背板技术而精诚合作。在利用有机移动显示器技术实现高品质、低成本显示器的商业化道路上可谓挑战重重，如提升...[详细]
DRAM产业2009第二季营收涨幅高达27.1%

根据集邦科技统计，2009年第二季DRAM合约价在减产效应持续发酵，计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下，第二季DRAM合约季均价上涨23%。现货价格亦在减产效应下，供给吃紧，DDR21Gb667MHz现货价格在五月一度上涨至1.27美元。许多市场人士乐观期待DDR21Gb在六月底升至1.5美元。但在五月下旬，传出某DRAM厂商释出低价颗粒到现货市场，而使六月现货价格维持在1.05...[详细]
IR推出适用于为高端LCD电视的IR1168

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR)扩展其SmartRectifierIC阵营，推出为AC-DC功率转换器而设，适用于为高端LCD电视的IR1168。这款200V双智能型能二次侧整流器驱动器IC，是为驱动在共振半桥式拓朴用作同步整流器（SR）的两枚N-通道功率MOSFET而设计。与传统电流变压器SR方式相比，IR1168能因应MOS...[详细]
台积电推展EDA、IP认证机制

台积电将一统IP与EDA？台积电针对65纳米混讯与射频制程推出设计套件，同时宣布未来IC设计客户将采用由台积电事先认证过的IP、EDA工具以提升投片成功率。在台积电挥舞认证的大旗下，未来势必使EDA厂商想跟台积电密切合作都要先经过认证关卡，也将促使IC设计客户跟进选用台积电认可的IP与EDA工具，台积电收编IP与EDA市场的用意明显。台积电借着技术论坛期间宣布，推出全球第一套65...[详细]
Nvidia第一财季净亏损2亿美元

据国外媒体报道，Nvidia周四发布了2010财年第一季度财报，公司营收下滑42%，净亏损2亿美元。　　在截至2009年4月26日的第一财季，Nvidia净亏损2.013亿美元，约合每股亏损37美分。不计一次性支出，每股亏损9美分。而去年同期为赢利1.768亿美元，每股摊薄收益30美分。　　Nvidia第一季度营收6.642亿美元，低于去年同期的11.5亿美元，但高于业内分析师预期...[详细]
恐被亚洲夺去优势法政府酝酿半导体产业鼓励政策

根据法新社(AFP)引述来自政府官员的消息指出，法国政府正在规划半导体产业鼓励政策，以挽救该国不断萎缩的IC产业。法新社引述法国工业部门官员LucChatel的说法，指目前法国政府正在对该产业领域进行评估；Chatel并透露法国政府可能会对该产业提供大笔的金援。“在IC产业领域，如果我们不做些什么，很快就会整碗被亚洲捧走。”不过他并未提供任何鼓励政策的细节与规模。法国...[详细]

小广播

热搜元器件