Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SA1585SQ

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2SA1585SQ: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小265KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SA1585SQ概述

Transistor

2SA1585SQ规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	2 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	120
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.4 W
表面贴装	NO
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors

2SA1585S

FEATURES

TRANSISTOR (PNP)

TO-92S

1. EMITTER

Low V

CE(sat)

Excellent DC current gain characteristics.

Power dissipation

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Value

-20

-6

-2

400

150

-55-150

Unit

℃

2. COLLECTOR

3. BASE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CEsat

Test

conditions

Min

-20

-6

-0.1

120

560

-0.5

200

MHz

Typ

Max

Unit

μA

= -50μA , I

= -1mA , I

=- 50μA, I

=-20V ,

= -5V , I

=-2V,

= -0.1A

= -2A, I

=-0.1A

=-2V, I

=-0.5A

F=100MHz

CLASSIFICATION OF h

Rank

Range

120-170

180-390

270-560

A,Jun,2011

推荐资源

模拟动物和昆虫叫声KD5608狗叫集成电路

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德仪净利2.6亿美元降56%仰赖亚洲需求回升

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iSuppli:半导体库存修正结束收入开始增长

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多晶硅疾进：一个西部城市的千亿宏图

在当地政府的推动下，一个西部新能源基地，正在酝酿。　　地处成都、川南和攀西三大经济区结合部的四川乐山，正试图通过打造三条产业链——太阳能光伏硅材料产业链、电子级硅材料产业链、硅化工循环利用产业链。　　据来自乐山市政府的资料显示，2008年，乐山电子及硅材料产业集群实现主营业务收入69.6亿元，同比增长40%，其中，多晶硅产量1180吨。　　“截至6月底，全市已形成年产多晶...[详细]
夏普全球首座10代厂将于10月提前投产

夏普全球首座10代厂将于10月提前投产虽然目前全球陷入经济危机，但市场——尤其是在中国等新兴市场——对于高质量LCD面板的需求仍然高涨。欧洲市场也是如此，这里同时也是夏普最大的海外市场之一。为了满足市场需求，夏普把它在日本堺市的首家第10代LCD面板工厂投产时间提前了五个月，现在定于2009年10月投产。这家现代化的生产中心从2007年底开始兴建，位于大阪附近...[详细]

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