Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB766AS

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2SB766AS: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小136KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SB766AS概述

Transistor

2SB766AS规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors

2SB766A

TRANSISTOR(PNP)

SOT-89

1. BASE

FEATURES

Large collector power dissipation P

Complementary to 2SD874A

2. COLLECTOR

3. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

-60

-50

-5

-1

500

150

-55-150

Units

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

FE(1)

FE(2)

CE(sat)

BE(sat)

Test

conditions

MIN

-60

-50

-5

-0.1

-0.2

-0.85

200

-0.4

-1.2

MHz

340

TYP

MAX

UNIT

μA

Ic=-10μA,I

Ic=-2mA,I

=-10μA,I

=-20V,I

=-4V,I

=-10V,I

=-500mA

=-5V,I

=-1A

=-500mA,I

=-50mA

=-500mA,I

=-50mA

=-10V,I

=-50mA,f=200MHz

=-10V,I

=0,f=1MHz

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

FE(1)

85-170

120-240

170-340

MAKING

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美大学研究人员发明半导体制作新工艺

美国北卡罗来纳大学与赖斯大学的科学家最近发明了一种新的半导体制作工艺，研究人员称这种发明能让Intel这样的芯片公司“突破摩尔定律的禁锢”，并造出更小更强的处理器。该项发明研究了一种新的硅半导体杂质掺杂方法，科学家们称之为“单分子层嫁接”。过去，半导体是通过向硅晶体内部掺杂杂质而制成的，但随着半导体工艺的发展，晶体管的尺寸也越来越小，这样就很容易出现不同器件之间掺杂度存在差异的情况，造成器...[详细]
存储芯片市场前景令人堪忧

去年，一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域，存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示，由于计算机存储芯片的平均销售价格迅速下滑，该公司的利润下降了6.6%。DRAM生产商尔必达(Elpida)也宣布其销售额下滑了34%，并且第三财季净亏损达1.132亿美元。台湾地区厂商茂德科技也因存储芯片价格下跌和供过于求而宣布亏损。存储芯片市场...[详细]
浪潮“抄底”奇梦达，8月中旬宣布收购消息

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AMD第一季度净亏损4.16亿美元

AMD今天发布了2009财年第一季度财报。报告显示，由于PC销售下滑的影响，AMD第一季度净亏损4.16亿美元。　　在截至3月28日的这一财季，AMD的净亏损为4.16亿美元，每股亏损0.66美元，这一业绩不及去年同期。2008财年第一季度，AMD的净亏损为3.64亿美元，每股亏损0.60美元。AMD第一季度运营亏损为3.08亿美元，去年同期运营亏损为2.34亿美元。　　不计入特殊...[详细]
半导体产业回暖信号——引线框出货量反弹

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Nvidia第一财季净亏损2亿美元

据国外媒体报道，Nvidia周四发布了2010财年第一季度财报，公司营收下滑42%，净亏损2亿美元。　　在截至2009年4月26日的第一财季，Nvidia净亏损2.013亿美元，约合每股亏损37美分。不计一次性支出，每股亏损9美分。而去年同期为赢利1.768亿美元，每股摊薄收益30美分。　　Nvidia第一季度营收6.642亿美元，低于去年同期的11.5亿美元，但高于业内分析师预期...[详细]
恐被亚洲夺去优势法政府酝酿半导体产业鼓励政策

根据法新社(AFP)引述来自政府官员的消息指出，法国政府正在规划半导体产业鼓励政策，以挽救该国不断萎缩的IC产业。法新社引述法国工业部门官员LucChatel的说法，指目前法国政府正在对该产业领域进行评估；Chatel并透露法国政府可能会对该产业提供大笔的金援。“在IC产业领域，如果我们不做些什么，很快就会整碗被亚洲捧走。”不过他并未提供任何鼓励政策的细节与规模。法国...[详细]

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