电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SC1384R

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小164KB,共3页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

2SC1384R概述

Transistor

2SC1384R规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)120
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

2SC1384R文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors
2SC1383
2SC1384
TRANSISTOR (NPN)
TO-92MOD
FEATURES
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat).
Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684.
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current –Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
2SC1383
30
25
5
1
1
150
-55-150
2SC1384
60
50
Units
V
V
V
A
W
1.EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
2SC1383
2SC1384
Collector-emitter breakdown voltage 2SC1383
2SC1384
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE(1)
DC current gain
h
FE(2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
V
CE
=5V, I
C
=1A
I
C
=500m A,I
B
=50mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
CE
=10V,I
C
=50mA
200
50
0.4
1.2
V
V
MHz
Test
conditions
MIN
30
60
25
50
5
0.1
85
340
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
μA
I
C
=10μA ,I
E
=0
I
C
=2mA , I
B
=0
I
E
= 10μA, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
V
CE
=10V, I
C
=500mA
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank
Range
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
msp430 程序升级
第一篇 在项目开发中,至关重要的是保证产品运行的可靠,如果遇到异常,能否恢复很重要,而不是像砖头一样,程序死在某个地方。固件升级的原理就是重写向量表,在引导区更新app区的fla ......
fish001 微控制器 MCU
28335的flash烧写
自己写了个程序,烧到flash里面,程序没有运行,通过xclkout看时钟初始化没有完成,功能也没有实现。连仿真器运行的时候程序正常。用ti的例程就可以正常,掉电重新上电程序能够自动运行,说明板 ......
elvike 微控制器 MCU
三菱PLC FX-128MR的输入点经常坏?
我用的是三菱FX128MR的PLC,输入点是光电和行程开关,设备架起来用了一年以后输入点经常坏,最近我们检查是PLC的外部输入电源的正极接到PLC的COM端上面,请问这种接法对吗?不应该是外部电源的负极接 ......
eeleader 工业自动化与控制
nicrosystem飞思卡尔MSCAN教程
以NSCF51AC-R1开发板为例,以MCF51AC128/256为MCU讲解了MSCAN的用法,这部分内容同样适用与coldfire v1系统型号mcu,也适用于S08DZ60之类的HCS08单片机.52261...
bluehacker NXP MCU
台湾资深工程师PCB经验
资深工程师PCB资料...
斜子 PCB设计
天津进国赛
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:10 编辑 国赛名单 ...
毛先生0628 电子竞赛
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved