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LS4448_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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LS4448_R2_10001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, MELF-2

LS4448_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LS4448
FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES
VOLTAGE
100 Volts
POWER
500 mW
FEATURES
• Fast Switching Speed.
• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.
• Silicon Epitaxal Planar Construction.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
0.
06
7(
1.
7)
MECHANICAL DATA
• Case: QUADRO, MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Cathode Band
• Marking: Cathode Band Only
• Weight: 0.03 grams(approx)
0.020(0.5)
0.012(0.3)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.020(0.5)
0.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current at T
A
=25
O
C And f >50Hz
Surge Forward Current at t < 1s and T
J
=25
O
C
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=100mA
Maximum Leakage Current
at V
R
=20V
at V
R
=75V
at V
R
=20V ,T
J
= 150
O
C
Maximum Capacitance at V
F
=V
R
=0
Maximum Reverse Recovery Time From
I
F
=-I
R
=10mA to I
RR
=-1mA ,V
R
=6V R
L
=100
Typical Maximum Thermal Resistance
Junction Temperature and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RM
V
R
I
F(AV)
I
FSM
P
TOT
V
F
VALUE
100
75
150
500
500
1
25
5
50
4
4
350
-65 to +175
0.055(1.4)DIA.
0.063(1.6)
UNITS
V
V
mA
mA
mW
V
nA
A
A
pF
ns
O
I
R
C
J
t
rr
R
JA
T
J
,T
S
C/W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100
August 1,2013-REV.04
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