Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> LL5711

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LL5711: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 70V V(RRM); 产品类别分立半导体二极管; 文件大小287KB，共3页; 制造商优先(苏州)半导体; 官网地址http://www.excel-semi.com/

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LL5711概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 70V V(RRM)

LL5711规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	优先(苏州)半导体
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.41 V
最大非重复峰值正向电流	2 A
元件数量	1
最高工作温度	125 °C
最大重复峰值反向电压	70 V
最大反向恢复时间	0.001 µs
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY

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LL5711 / LL6263

Schottky Barrier Diode

Features

1. For general purpose applications.

2. Metal-on-silicon schottky barrier device which is

protected by a PN junction guard ring. The low

forward voltage drop and fast switching make it

ideal for protection of MOS devices, steering,

biasing and coupling diodes for fast switching and

low logic level applications.

Absolute Maximum Ratings

=25℃)

Parameter

Peak inverse voltage

Maximum single cycle surge 10us square wave

Power dissipation

Maximum junction temperature

Storage temperature range

Part

LL5711

LL6263

Symbol

RRM

FSM

tot

Value

2.0

400

125

-55~+150

Unit

℃

Electrical Characteristics

=25℃)

Parameter

Reverse breakdown

voltage

Leakage current

Forward voltage drop

Junction capacitance

Reverse recovery time

Symbol

(BR)R

tot

Test Conditions

=10

A (pulsed)

=50V

=1mA

=15mA

=0V, f=1MHz

= I

=5mA recover to 0.1 I

LL5711

LL6263

Part

LL5711

LL6263

Min

Typ

Max

200

0.41

1.0

2.0

2.2

1.0

Unit

Stresses exceeding maximum ratings may damage the device. Maximum ratings are stress ratings only. Functional operation above the

recommended operating conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may

affect device reliability.

Excel Semiconductor

www.excel-semi.com

FaxBack +86-512-67606917

Rev. 3g, 1-Sep-2009

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