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SSM3060VHE_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, GREEN, ULTRA THIN, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小215KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SSM3060VHE_R1_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, GREEN, ULTRA THIN, PLASTIC PACKAGE-2

SSM3060VHE_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, ULTRA THIN, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流220 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SSM3060VHE
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Ideal for automated placement
• Ultra low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Low thermal resistance
• Ultra thin profile package for space constrained utilization
• Package suitable for automated handling
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.154(3.90)
0.137(3.50)
0.012(0.30)
0.007(0.20)
0.040(1.00)
0.031(0.80)
60 Volt
CURRENT
3 Ampere
0.046(1.15)
0.114(2.90)
0.106(2.70)
0.033(0.85)
0.091(2.30)
0.074(1.90)
0.048(1.20)
0.031(0.80)
MECHANICAL DATA
Case : SOD-123HE, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity : Color band denotes cathode end
Weight : 0.00015 ounces, 0.00424 grams
Marking : SMV
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Rectified Output Current
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical Junction C apacitance (V
R
=4V, f=1MHz)
Typical Thermal Resistance
(Note 1)
(Note 2)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
C
J
R
JL
R
JA
T
J
,T
STG
VALUE
60
42
60
3
80
200
15
170
-55 to + 150
UNIT
V
V
V
A
A
pF
o
C/W
o
Operating Junction Temperature Range And Storage Temperature Range
C
NOTES:1.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, with 100cm
2.Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
2
copper pad area
November 29,2013-REV.00
PAGE . 1
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