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HER102SG

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小190KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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HER102SG概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)

HER102SG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO

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HER101G thru HER108G
Glass Passivated High Efficient Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 1.0 Ampere
Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
Mechanical Data
Case: Molded plastic DO-204AL(DO-41)/A-405
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, Method 208
guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed:
250
o
C/10 seconds .375” (9.5mm) lead
lengths at 5 lbs., (2.3kg) tension
Weight: DO-41 - 0.012 ounce, 0.335 gram
A-405 - 0.008 ounce, 0.22 gram
Note:
Lead diameter is 0.025(0.64)/0.021(0.53) for part numbers from
HER101SG thru HER108SG
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
.375" (9.5mm) lead length @T
A
=55
o
C
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage @ 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
@ T
A
=25
o
C
@ T
A
=125
o
C
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
R
θ
JC
T
J
T
STG
50
20
60
18
-55 to +150
-55 to +150
1.0
5.0
100
75
15
o
H ER
101G
50
35
50
H ER
102G
100
70
100
H ER
103G
200
140
200
H ER
104G
300
210
300
1.0
H ER
105G
400
280
400
H ER
106G
600
420
600
H ER
107G
800
560
800
H ER
108G
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
30.0
1.3
1.7
Amps
Volts
uA
uA
nS
pF
C/W
o
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating temperature range
Storage temperature range
C
C
o
Notes:
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
153
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