Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SMA110

文档预览

SMA110: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 89.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小49KB，共4页; 制造商台湾光宝(LITEON); 官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index; Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯；公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案，稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明，商用产品和应用特定型产品的大批量生产，以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。

下载文档详细参数全文预览

SMA110概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 89.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN

SMA110规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	台湾光宝(LITEON)
包装说明	R-PDSO-C2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	121 V
最小击穿电压	99 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	89.2 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL

SMA110文档预览

下载PDF文档

全文
预览

LITE-ON

SEMICONDUCTOR

SMA SERIES

STAND-OFF VOLTAGE -

6.8

200

Volts

POWER DISSIPATION -

400

WATTS

SURFACE MOUNT

UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

FEATURES

Rating to 200V VBR

For surface mounted applications

Reliable low cost construction utilizing molded plastic

technique

Plastic material has UL flammability classification

94V-O

Typical IR less than 1uA above 10V

Fast response time: typically less than 1.0ps for

Uni-direction,less than 5.0ns for Bi-direction,form 0

Volts to BV min

SMA

DIM.

MIN.

4.06

2.29

1.27

0.15

4.83

0.05

2.01

0.76

MAX.

4.57

2.92

1.63

0.31

5.59

0.20

2.62

1.52

MECHANICAL DATA

Case : Molded plastic

Polarity : by cathode band denotes uni-directional

device none cathode band denotes bi-directional

device

Weight : 0.002 ounces, 0.064 grams

All Dimensions in millimeter

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

℃

ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

CHARACTERISTICS

PEAK POWER DISSIPATION AT T

= 25 C,

= 1ms (Note 1,2)

Peak Forward Surge Current 8.3ms

single half sine-wave super imposed

on rated load (Note 3)

(JEDEC METHOD)

SYMBOLS

VALUE

UNIT

Minimum 400

WATTS

FSM

AMPS.

Steady State Power Dissipation at TL =75 C

M(AV)

1.0

WATTS

Maximum Instantaneous forward voltage

at 35A for unidirectional devices only (Note 3)

3.5

Volts

Operating Temperature Range

-55 to +150

Storage Temperature Range

STG

-55 to +175

NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T

= 25 C per fig.1.

REV. 2, 01-Dec-2000, KSIA01

2. Thermal Resistance junction to Lead

3. 8.3ms single half-sine wave duty cycle= 4 pulses maximum per minute (unidirectional units only).

推荐资源

GCA-60（0-36、0-72）型硅整流充电机电路

数字射频技术对手机电路设计带来的影响及发展趋势: 消费者已经开始将手机作为便携式娱乐终端，集成越来越多的功能与减小手机尺寸、增长电池寿命形成矛盾。解决这个问题的最好办法是从射频部分入手，本文介绍的数字射频技术能有效地降低射频部分的 ......; JasonYoo 无线连接

关于16位CRC校验码问题: 我现在测到CAN通讯帧数据里面的一些校验码，但是不知道它是怎么生成的，和我的CRC校验码不一样，不知道应该怎样进行解码啊？其中完整的CAN数据帧为（之一）：0x008 0X8 00 00 00 0X02 0X0A 00 ......; wfiu 嵌入式系统

几个典型的三极管放大电路: 一、最简单的电路 http://file2.dzsc.com/data/16/08/12/9207_151447407.jpg 上面这个电路够简单吧?你可以得到，只要是NPN晶体管都可以使用。BC547三极管极性：字面朝上，左→右 C、B、E ......; fish001 模拟与混合信号

MSP430F47187和SST25VF080B的SPI通信有问题，主控芯片发送的时序正确，但是一直是FF: void Init_CLK(void) { unsigned int i; FLL_CTL0 |= XCAP10PF; // Set load capacitance FLL_CTL1 &= ~XT2OFF; // 打开 XT2 do ......; summerszcy 微控制器 MCU

【Labview】开贴说明: 本人现手上有一个测试项目，具体内容在此就不方便透露。公司保密机制:loveliness: 我并不是搞测试的，所以在这个项目上除了一些硬件的知识外，一切重零开始。我需要做 ......; 安_然测试/测量

[转]以前收集的“M8数字电源（50V10A）”资料: 记不清原网址了，等找到再更新上来...; wolf-lee 电源技术

小广播

热搜元器件