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FES1DE

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-219AA, GREEN, PLASTIC, F1A, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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FES1DE概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-219AA, GREEN, PLASTIC, F1A, 2 PIN

FES1DE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-219AA
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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FES1DE
SURFACE MOUNT
FAST RECOVERY RECTIFIERS
FEATURES
• Fast switching for high efficiency
• For surface mounted applications
• Glass passivated chip
• Low reverse leakage current
• Low forward voltage drop
• High current capability
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-219AA
• Case Material: “Green” molding compound, UL
Flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. Cl.)
"Halogen-free".
• Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish.)
• Component in accordance to RoHs 2002/95/EC
• Marking code: E1D
• Weight: 16.5 mg (Approximate)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25° ambient temperature unless otherwis e specified.
C
ABSOLUTE RATING
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Average rectified forward current
@Tc=90°
C
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed
on rated load
Operating and Storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
DC
I
(AV)
I
FSM
T
J,
T
STG
VALUE
200
200
1.0
30
-55 ~ +150
UNIT
V
V
A
A
°
C
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
F1A
– 200 Volts
– 1.0 Amperes
F1A
DIM.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
MIN.
3.50
1.70
0.81
2.70
0.80
0.05
0.35
0.03
TYP
3.80
1.90
1.18
2.80
1.00
0.15
0.60
0.07
MAX.
3.90
2.00
1.20
2.90
1.35
0.30
0.85
0.10
All dimension in millimeter.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Forward voltage
Leakage current
Typical junction capacitance
(Note 1)
TEST CONDITION
I
F
=1.0A
V
R
=200V
T
J
=25°
C
T
J
=25°
C
T
J
=125°
C
SYMBOL
V
F
I
R
C
J
TYP.
0.87
0.01
1.2
20
MAX
0.92
5
200
UNIT
V
uA
pF
THERMAL PERFORMANCE
PARAMETER
Typical Thermal Resistance
(Note 2)
SYMBOL
RthJ
A
RthJ
L
RthJ
C
TYP.
115
45
55
°
C/W
UNIT
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Reverse recovery time
TEST CONDITION
I
F
=0.5A ,I
RR
=0.25A,I
R
=1.0A
SYMBOL
T
RR
MAX.
25
UNIT
nS
REV.0, Dec-2014,KSEP09
Note :
(1) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
(2) Thermal resistance test performed in accordance with JESD-51.
.
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