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JAN2N6963

产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-210
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共1页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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JAN2N6963概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-210

JAN2N6963规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.09 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-210
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
认证状态Not Qualified
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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