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PJSD12TS_R2_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 120W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小203KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD12TS_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 120W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

PJSD12TS_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压13.3 V
击穿电压标称值13.3 V
最大钳位电压17 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散120 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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PJSD03TS~PJSD36TS
SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PROTECTION PORTABLE ELECTRONICS
VOLTAGE
FEATURES
• 120 Watts peak pules power( tp=8/20
μs)
• Small package for use in portable electronics
• Suitable replacement for MLV’S in ESD protection applications
• Low clamping voltage and leakage current
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.034(0.85)
0.029(0.75)
0.050(1.25)
0.045(1.15)
3~36 Volts
POWER
120 Watts
SOD-523
Unit
inch(mm)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.026(0.65)
0.021(0.55)
APPLICATIONS
• Case: SOD-523 plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx Weight: 0.0014 grams
• Marking : PJSD03TS : KD
PJSD05TS : KE
PJSD07TS : KF
PJSD08TS : KR
PJSD12TS : LE
PJSD15TS : LM
PJSD24TS : LZ
PJSD36TS : MP
1
2
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
0.20 MIN.
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHATACTERISTICS
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Rating
Peak Pulse Power Dissipation (tp=8/20
μs)
ESD Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
PP
V
ESD
T
J
T
STG
Value
120
25
-50 to +150
-50 to +150
Units
W
KV
O
C
C
O
ELECTRICALCHATACTERISTICS
PJSD03TS
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20μs)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
BR
=1mA
V
R
=3.3V
I
PP
=5A
0Vdc Bias=f=1MHz
3.3Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
4
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
-
Max.
3.3
-
200
6.5
200
100
Units
V
V
μA
V
pF
pF
July 20.2010-REV.00
PAGE . 1
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