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PJSD05TG_R1_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小249KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05TG_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

PJSD05TG_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压6 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散100 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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PJSD03TG~PJSD36TG
SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PROTECTION PORTABLE ELECTRONICS
VOLTAGE
FEATURES
• 100 Watts peak pules power( tp=8/20
µs)
• Small package for use in portable electronics
• Suitable replacement for MLV’S in ESD protection applications
• Low clamping voltage and leakage current
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.026(0.65)
0.021(0.55)
0.022(0.55)
0.017(0.45)
0.042(1.05)
0.037(0.95)
3~36 Volts
POWER
100 Watts
SOD-723
Unit
inch(mm)
APPLICATIONS
• Case: SOD-723 plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx.Weight : 0.0008 grams
• Marking : PJSD03TG : FS
PJSD05T : FT
G
PJSD08T : FU
G
PJSD12TG : FV
PJSD15T : FW
G
PJSD24TG : FX
PJSD36TG : FY
0.007(0.18)
0.003(0.08)
0.057(1.45)
0.053(1.35)
0.006(0.15)MIN.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHATACTERISTICS
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Rating
Peak Pulse Power (tp=8/20
µ
s)
ESD Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL CHARA CTERISTICS
Symbol
Value
100
25
-50 to 150
-50 to 150
P
PK
V
ESD
T
J
T
STG
PJSD03TG
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
BR
=1mA
V
R
=3.3V
I
PP
=10A
0Vdc Bias=f=1MHz
3Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
4
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
180
100
Max.
3.3
-
125
7.5
-
-
Units
V
V
µA
V
pF
pF
0.013(0.32)
0.009(0.25)
Units
W
KV
O
C
C
O
REV.0.1-FEB.16.2009
PAGE . 1
vxWorks 6.2 中的浮点运算问题
CPU :AMCC-440EPx 操作系统 :VxWorks 6.2 开发环境 :WorkBench 2.4 当使用浮点运行时,结果不正确,在Config.h配置了以下内容: #undef INCLUDE_SW_FP #define INCLUDE_HW_FP #defin ......
lian 实时操作系统RTOS
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