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SBG3040CT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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SBG3040CT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3

SBG3040CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码TO-263
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREEWHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SBG3040CT文档预览

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
SBG3030CT thru 3040CT
REVERSE VOLTAGE
- 30
to
40
Volts
FORWARD CURRENT
- 30
Amperes
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification
94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
whelling,and polarity protection applications
D
2
PAK
K
A
K
I
D
B
F
C
1
K
2
DIM.
A
B
C
D
E
F
D
2
PAK
MIN.
9.65
14.60
8.25
1.14
0.51
2.29
2.29
MAX.
10.69
15.88
9.25
1.40
1.14
2.79
2.79
G
MECHANICAL DATA
Case : D PAK molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.06 ounces, 1.7 grams
2
E
J
H
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
2.92
2.03
1.14
1.40
I
J
0.30
0.64
K
4.37
4.83
All Dimensions in millimeter
G
H
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
SBG3030CT
30
21
30
30
250
0.55
1.0
75
420
1.5
-55 to +125
-55 to +150
SBG3040CT
40
28
40
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
C
=
100 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum Forward Voltage
at 15A DC (Note 1)
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
per element (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
I
FSM
V
F
A
V
mA
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
I
R
C
J
R
0JC
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KTHB10
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Case.
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