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SD1060CS_S2_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-252,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小294KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SD1060CS_S2_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-252,

SD1060CS_S2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流100 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SD1020CS~SD1060CS
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
20 to 60 Volt
CURRENT
10 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: TO-252 molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
• Marking: Part number
MAXIMUM RATINGS AND DELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RAM ET E R
M a ximum Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo lt a g e
M a ximum RM S Vo lt a g e
M a ximum DC B lo c k ing Vo lt a g e
M a ximum Ave r a g e F o r w a r d Re c t if ie d Cur r e nt a t T
C
= 7 5
O
C
Pe a k F o r w a r d Sur g e Cur r e nt : 8 . 3 ms s ing le ha lf s ine - w a ve
s up e r imp o s e d o n r a t e d lo a d
M a ximum I ns t a nt a ne o us F o r w a r d Vo lt a g e a t 5 A p e r le g
M a ximum DC R e ve r s e Cur r e nt a t R a t e d DC Blo c k ing T
J
= 2 5
O
C
Vo lt a g e
T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p ic a l T he r ma l Re s is t a nce
O p e r a t ing J unc t io n Te mp e r a t ur e Ra ng e
St o r a g e Te mp e r a t ur e Ra ng e
SY M B O L
SD10 20 CS S D1 03 0CS SD10 40 CS SD1 05 0CS SD10 60 CS
UNI TS
V
RR M
V
RM S
V
DC
I
F ( AV )
I
F SM
V
F
I
R
R
θJ
C
R
θJ
A
T
J
T
STG
-55 to +125
0.55
0.2
20
5
80
-55 to +150
-55 t o +150
20
14
20
30
21
30
40
28
40
10
100
0.75
0.1
20
O
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
V
mA
C / W
O
C
C
O
NOTES:
1. Both Bonding and Chip structure are available.
May 12,2016­REV.06
PAGE . 1
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