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MBR3040CT-AU_T0_100A1

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小135KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR3040CT-AU_T0_100A1概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

MBR3040CT-AU_T0_100A1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流275 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流100 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBR3040CT-AU_T0_100A1文档预览

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MBR3040CT-AU
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Acqire quality system certificate : TS16949
• AEC-Q101 qualified
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directives
40 Volt
CURRENT
30 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c ur re nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi m um RMS Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve r a g e F o rwa rd C urre nt
P e a k F o rwa r d S ur g e C urr e nt
8 .3 m s s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e r i m p o s e d o n r a te d lo a d
Ma xi m um F o r wa rd Vo lta g e a t 1 5 A p e r le g
Ma xi m um D C Re ve r s e C ur re nt
a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The r ma l Re s i s ta nc e
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te mp e ra ture Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 2 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
,T
S TG
VA L UE
40
28
40
30
275
0 .7
0 .1
20
1 .4
-5 5 to + 1 5 0
UNITS
V
V
V
A
A
V
mA
O
C / W
O
C
Note :
Both Bonding and Chip structure are available.
December 24,2013
Document Number : 130103
PAGE . 1
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