Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SMBJ10A

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SMBJ10A: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小49KB，共4页; 制造商台湾光宝(LITEON); 官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index; 标准; Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯；公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案，稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明，商用产品和应用特定型产品的大批量生产，以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。

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SMBJ10A概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN

SMBJ10A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	台湾光宝(LITEON)
包装说明	R-PDSO-C2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	12.3 V
最小击穿电压	11.1 V
最大钳位电压	17 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	255
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	10 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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LITE-ON

SEMICONDUCTOR

SMBJ SERIES

STAND-OFF VOLTAGE -

5.0

170

Volts

POWER DISSIPATION -

600

WATTS

SURFACE MOUNT

UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

FEATURES

Rating to 200V VBR

For surface mounted applications

Reliable low cost construction utilizing molded plastic

technique

Plastic material has UL flammability classification

94V-O

Typical IR less than 1uA above 10V

Fast response time: typically less than 1.0ps for

Uni-direction,less than 5.0ns for Bi-direction,form 0

Volts to BV min

SMB

DIM.

MIN.

4.06

3.30

1.96

0.15

5.21

0.05

2.01

0.76

MAX.

4.57

3.94

2.21

0.31

5.59

0.20

2.62

1.52

MECHANICAL DATA

Case : Molded plastic

Polarity : by cathode band denotes uni-directional

device none cathode band denotes bi-directional device

Weight : 0.003 ounces, 0.093 gram

All Dimensions in millimeter

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

℃

ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

CHARACTERISTICS

PEAK POWER DISSIPATION AT T

= 25 C,

= 1ms (Note 1,2)

Peak Forward Surge Current 8.3ms

single half sine-wave super imposed

on rated load (Note 3)

(JEDEC METHOD)

Steady State Power Dissipation at T

=75 C

SYMBOLS

VALUE

UNIT

Minimum 600

WATTS

FSM

100

AMPS.

M(AV)

5.0

WATTS

Maximum Instantaneous forward voltage

at 50A for unidirectional devices only (Note 3)

SEE NOTE 4

Volts

Operating Temperature Range

-55 to +150

Storage Temperature Range

STG

-55 to +175

NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above T

= 25 C per fig.1.

REV. 2, 01-Dec-2000, KSIB02

2. Thermal Resistance junction to Lead

3. 8.3ms single half-sine wave duty cycle= 4 pulses maximum per minute (unidirectional units only).

4. V

= 3.5V on SMBJ5.0 thru SMBJ90A devices and V

= 5.0V on SMBJ100 thru SMBJ170A devices.

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