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PS2010_B0_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小138KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PS2010_B0_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,

PS2010_B0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

PS2010_B0_10001文档预览

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PS200~PS2010
PLASTIC SILICON RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low cost
• High current capability
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
.300(7.6)
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 V
olts
CURRENT
2.0 Amperes
DO-15
Unit: inch(mm)
.034(.86)
.028(.71)
Lead free in
compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
MECHANICAL DATA
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color Band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
1.0(25.4)MIN.
.230(5.8)
• Low leakage
• Case: Molded plastic, DO-15
.140(3.6)
.104(2.6)
MAXIMUM RA
TINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c urr e nt P e a k Re ve rs e Vo lt a g e
Ma xi m um R M S Vo lt a g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng V o lt a g e
Ma xi m um A ve ra g e F o rwa rd C urr e nt . 3 7 5 " ( 9 .5 m m )
le a d le ng t h a t T
A
= 6 0
O
C
P e a k F o r wa rd S urg e C urr e nt : 8 . 3 m s s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri m p o s e d o n r a te d l o a d (J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o rw a rd Vo lt a g e a t 2 .0 A
Ma xi m um D C R e ve rs e C ur re nt a t T
J
= 2 5
O
C
Ra te d D C B lo c k i ng V o lta g e T
J
= 1 0 0
O
C
Typ i c a l J unc ti o n c a p a c i ta nc e ( No te 1 )
Typ i c a l The rm a l R e s i s ta nc e
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e ( No te 2 )
Op e r a ti ng J unc t i o n a nd S t o ra g e Te m p e ra t ure R a ng e
S YM B OL
P S 2 0 0 P S 2 0 1 P S 2 0 2 P S 2 0 4 P S 2 0 6 P S 2 0 8 P S 2 0 1 0
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
R
θJ
C
R
θJ
L
T
J
,T
S TG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2 .0
70
1 .1
5 .0
500
25
70
50
25
-5 5 t o + 1 5 0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μ
A
pF
O
C /
W
C /
W
C
O
O
NOTES: 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
REV.0.3-MAR.17.2010
PAGE . 1
编译出错
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