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SE1J-S

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小631KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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SE1J-S概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN

SE1J-S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明SMAJ, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

SE1J-S文档预览

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SE1A-S thru SE1M-S
1.0 Amp. High Efficient Surface Mount Rectifiers
Voltage Range 50 to 1000 Volts Forward Current 1.0 Ampere
Features
For surface mounted application
Low forward voltage drop
Low profile package
Built-in stain relief, ideal for automatic placement
Fast switching for high efficiency
High temperature soldering:
260
o
C/10 seconds at terminals
Plastic material used carries Underwriters Laboratory
Classification 94V-O
Mechanical Data
Cases: New SMA molded plastic
Terminals: Solder plated solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Weight: 0.004 ounce, 0.11 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
See Fig.2
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage @ 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
@ T
A
=25
o
C
@ T
A
=100
o
C
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
T
J
T
STG
50
20
-55 to +125
-55 to +150
1.00
SE1A-S
50
35
50
SE1B-S
100
70
100
SE1D-S
200
140
200
SE1F-S
300
210
300
1.0
SE1G-S
400
280
400
SE1J-S
600
420
600
SE1K-S
800
560
800
SE1M-S
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
30.0
1.30
10.0
500
100
15
1.50
1.70
Amps
Volts
uA
uA
nS
pF
o
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating temperature range
Storage temperature range
Notes:
C
C
o
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
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