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MMBT2369A-R1-10001

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBT2369A-R1-10001概述

Transistor

MMBT2369A-R1-10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant

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MMBT2369A
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
FEATURES
• NPN epitaxial silicon, planar design
• Collector-emitter voltage V
CE
= 15V
• Collector current I
C
= 200mA
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.120(3.04)
0.110(2.80)
15 Volts
POWER
225 mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0084 grams
• Marking: M3B
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
C ollector - Emi tter Voltage
C ollector - Base Voltage
Emi tter - Base Voltage
C ollector C urrent - C onti nuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
15
40
4.5
200
Uni ts
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Max Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
TOT
JA
T
J
TI
STG
Value
225
556
-55 to 150
-55 to 150
Units
mW
O
C/W
O
C
C
O
Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 70 x 60 x 1mm.
REV.0.1-MAR.5.2009
PAGE . 1
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