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MMBD770WST/R13

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.25A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小196KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBD770WST/R13概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.25A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

MMBD770WST/R13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.18 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
MMBD770WS
SURFACE MOUNT SCHOTTKY
DIODES
VOLTAGE
FEATURES
Extremely low minority carrier lifetime
Low capacitance ( 0.4pF @ 20V typical )
Low reverse leakage ( 30nA @ 35V typical )
0.054(1.35)
0.045(1.15)
SOD-323
Unit: inch (mm)
70
Volts
CURRENT
250mA
0.078(1.95)
0.068(1.75)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.038(0.95)
0.027(0.70)
Surface mount package ideally suited for automatic insertion
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.012(0.30)MIN.
0.006(0.15)
0.002(0.05)
MECHANICAL DATA
Case: SOD-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.0048 gram
Marking : 770
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Maximum Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Power Dissipation
(1)
SYMBOL
V
R
V
RRM
I
F
P
TOT
R
QJ A
T
J
T
STG
VALUE
70
70
0.25
180
556
-55 to 125
-55 to 150
UNIT
V
V
A
mW
℃/W
Thermal Resistance , Junction to Ambient
(1)
Junction Temperature
Storage Temperature
Notes: 1. FR -4 Board = 70 × 60 × 1mm.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25°C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Current
Forward Voltage
Typical Capacitance
SYMBOL
V
(BR)
I
R
V
F
C
T
TEST CONDITION
I
R
=10uA
V
R
=35 V
I
F
=1mA
I
F
=10mA
V
R
=20V, f =1MHz
MIN.
70
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
MAX.
-
0.2
0.5
1.0
1.0
UNIT
V
uA
V
pF
June 22,2012-REV.02
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