1500mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 1.5 A |
基于收集器的最大容量 | 35 pF |
集电极-发射极最大电压 | 120 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 5 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.8 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
VCEsat-Max | 1 V |
BSW67 | BSW68 | |
---|---|---|
描述 | 1500mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 | 1500mA, 150V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 1.5 A | 1.5 A |
基于收集器的最大容量 | 35 pF | 35 pF |
集电极-发射极最大电压 | 120 V | 150 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 15 | 15 |
JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
功耗环境最大值 | 5 W | 5 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.8 W | 13 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz | 80 MHz |
VCEsat-Max | 1 V | 1 V |
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