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BA159DG

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小167KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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BA159DG概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM)

BA159DG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO

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BA157G thru BA159G
Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
Reverse Voltage 400 to 1000 Volts Forward Current 1.0 Ampere
Features
Plastic package has Underwriters Laboratories Flammability
Classification 94V-0
High temperature metallurgically bonded construction
For use in high frequency rectifier circuits
Fast switching for high efficiency
Glass passivated cavity-free junction
Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500
1.0 Ampere operation at T
A
=55
o
C with no thermal runaway
Typical I
R
less than 0.1uA
High temperature soldering guaranteed:
350
o
C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
Mechanical Data
Case: JEDEC DO-204AL (DO-41), molded plastic over glass
body
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.012 ounce, 0.33 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=55
o
C
Peak forward surge current
10ms single half sine-wave superimposed on
rated load at T
A
=25
o
C
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage T
A
=25
o
C
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance (Note 3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Notes:
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
250
15
55.0
-55 to +150
-55 to +150
o
BA157G
400
280
400
BA158G
600
420
600
1.0
BA159DG
800
560
800
BA159G
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
20.0
1.3
5.0
500
Amps
Volts
uA
nS
pF
C/W
o
C
C
o
1. Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
3. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
87
数据流建模
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