2SK3457-AZ
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Renesas |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | MP-45F |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | PRSS0003AK-A3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 73.8 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SK3457-AZ | 2SK3457 | 2SK3457-S17-AY | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 2SK3457-AZ | 5A, 800V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN | 2SK3457-S17-AY |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | MP-45F | SFM | MP-45F |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | , |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | unknow | compli |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| Brand Name | Renesas | - | Renesas |
| 制造商包装代码 | PRSS0003AK-A3 | - | PRSS0003AK-A3 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 73.8 mJ | 73.8 mJ | - |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V | 800 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5 A | 5 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 5 A | 5 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 2.2 Ω | 2.2 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 40 W | 40 W | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A | 20 A | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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